Transistor bipolar de potencia NPN C3998 / 2SC3998, con tensión colector‑emisor máxima de 800 V, corriente de colector continua de 25 A y potencia de disipación de hasta 250 W, en encapsulado TO‑3P/TO‑3PL apto para montaje en disipador. Es un transistor de silicio de triple difusión, de alta velocidad (tiempo de caída típico de 100 ns) y alto voltaje de ruptura (tensión colector‑base hasta 1500 V), originalmente fabricado por Sanyo, adecuado para aplicaciones de conmutación de alta tensión y alta corriente como etapas de salida en fuentes conmutadas, inversores, fuentes para ultrasonido y circuitos de deflexión horizontal o drivers de potencia en equipos electrónicos e industriales exigentes.