Descripción
Descripción
La familia 1N4xxx / 1N5xxx agrupa diodos rectificadores de silicio en encapsulados THT DO‑41 (serie 1N4xxx) y DO‑27 (serie 1N5xxx), con tensión inversa repetitiva máxima VRRM desde 50 V hasta 1000 V según referencia, corriente directa media IF(AV) de 1 A en la serie 1N4xxx y de 3 A en la serie 1N5xxx, corriente de pico no repetitiva IFSM de 30 A y 200 A respectivamente, caída de tensión directa típica VF de aproximadamente 0,6 V a 1,1 V a corriente nominal, corriente de fuga inversa IR del orden de 5 µA a 10 µA a tensión máxima, con las referencias más comunes siendo 1N4001 (50 V), 1N4002 (100 V), 1N4003 (200 V), 1N4004 (400 V), 1N4005 (600 V), 1N4006 (800 V), 1N4007 (1000 V) para la serie 1N4xxx y 1N5391 a 1N5399 y 1N5400 a 1N5408 para la serie 1N5xxx, temperatura de unión máxima de +150 °C (grado extendido).
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