Descripción

Conversación en el Modo IA: irfb4115irfb4115El IRFB4115 es un transistor MOSFET de potencia de canal N, fabricado originalmente por International Rectifier (ahora Infineon Technologies). Está diseñado principalmente para aplicaciones de conmutación rápida de alta eficiencia, sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS), fuentes rectificadoras y circuitos de alta frecuencia.
Especificaciones Técnicas Clave

Voltaje Drenaje-Fuente ($V_{DSS}$): 150 V máximos.
Corriente Continua de Drenaje ($I_{D}$): 104 A (a una temperatura de $T_C = 25^\circ\text{C}$).
Resistencia en estado activo ($R_{DS(on)}$): 9.3 mΩ típico / 11 mΩ máximo.
Disipación de Potencia Máxima ($P_{D}$): 380 W.
Encapsulado: TO-220AB (orificio pasante de 3 pines).
Temperatura de Operación ($T_{J}$): -55 °C hasta 175 °C