Descripción

El STP110N8F6 es un transistor de potencia MOSFET de canal N de alto rendimiento fabricado por STMicroelectronics. Utiliza la tecnología patentada STripFET F6 con una estructura de compuerta de trinchera (trench gate), diseñada específicamente para ofrecer una resistencia en conducción extremadamente baja y una alta eficiencia en la conmutación de grandes corrientes.

Polaridad: Canal N.
Voltaje Drenaje-Fuente ($V_{DSS}$): 80 V máximo.
Corriente de Drenaje Continua ($I_{D}$): 110 A (a 25 °C).
Resistencia en Estado Activo ($R_{DS(on)}$): 5.6 mΩ típica / 6.5 mΩ máxima.
Disipación de Potencia Máxima ($P_{D}$): 200 W.
Encapsulado: TO-220 (de tres pines, ideal para montaje pasante y acoplamiento a disipadores de calor).
Rango de Temperatura de Operación: de -55 °C a 175 °C