Descripción
Descripción
El 2N5306 es un transistor PNP de pequeña señal y propósito general en encapsulado THT TO‑92, con tensión colector‑emisor máxima VCEO de ‑25 V, tensión colector‑base máxima VCBO de ‑25 V, tensión emisor‑base máxima VEBO de ‑5 V, corriente de colector continua IC de hasta ‑600 mA, disipación de potencia máxima PC de 625 mW, ganancia de corriente hFE típica en el rango de 100 a 300, tensión de saturación VCE(sat) de alrededor de ‑0,3 V a ‑0,5 V a IC = ‑150 mA, frecuencia de transición fT del orden de 250 MHz y temperatura de unión máxima de +150 °C (grado extendido).
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