Descripción

El 2N5551 es un transistor bipolar NPN de propósito general de alta tensión en encapsulado TO-92 (THT), con tensión colector-emisor máxima (VCEO) de 160 V, tensión colector-base (VCBO) de 180 V, corriente de colector máxima (IC) de 600 mA, disipación de potencia máxima (PD) de 625 mW, ganancia de corriente (hFE) de 80 a 250 (a IC = 10 mA, VCE = 5 V), frecuencia de transición (fT) de 100 MHz y temperatura de unión máxima TJ = 150 °C. Compatible con múltiples fabricantes (ON Semiconductor, Fairchild, STMicroelectronics, entre otros).

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