Descripción
Descripción
El B647 (2SB647) es un transistor NPN de potencia en encapsulado THT TO‑126, con tensión colector‑emisor máxima de 60 V, tensión colector‑base máxima de 60 V, tensión emisor‑base máxima de 5 V, corriente de colector continua de hasta 1,5 A y corriente de pico de 3 A, disipación de potencia de aproximadamente 10 W a 12 W sobre disipador adecuado, ganancia de corriente hFE típica en el rango de 120 a 390 según clasificación de ganancia, tensión de saturación colector‑emisor VCE(sat) de alrededor de 0,5 V a IC = 0,5 A, frecuencia de transición fT del orden de 140 MHz y rango de temperatura de unión máxima de +150 °C (grado extendido).
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