Descripción
Descripción
El HSB649A es un transistor PNP de potencia en encapsulado THT TO‑126, con tensión colector‑emisor máxima de -60 V, tensión colector‑base máxima de -60 V, tensión emisor‑base máxima de -5 V, corriente de colector continua de hasta -1,5 A y corriente de pico de -3 A, disipación de potencia de aproximadamente 10 W a 12 W sobre disipador adecuado, ganancia de corriente hFE típica en el rango de 120 a 390 según clasificación de ganancia, tensión de saturación colector‑emisor VCE(sat) de alrededor de -0,5 V a IC = -0,5 A, frecuencia de transición fT del orden de 140 MHz y rango de temperatura de unión máxima de +150 °C (grado extendido).
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