Descripción
Descripción
El BD135 es un transistor NPN de potencia media en encapsulado THT TO‑126, con tensión colector‑emisor máxima VCEO de 45 V, tensión colector‑base máxima VCBO de 45 V, tensión emisor‑base máxima VEBO de 5 V, corriente de colector continua IC de hasta 1,5 A y corriente de pico de 3 A, disipación de potencia máxima PC de aproximadamente 8 W a 12,5 W sobre disipador adecuado, ganancia de corriente hFE típica en el rango de 40 a 250 según clasificación (BD135, BD135‑6, BD135‑10, BD135‑16), tensión de saturación VCE(sat) de alrededor de 0,5 V a 0,8 V a IC = 500 mA, frecuencia de transición fT del orden de 50 MHz a 190 MHz y temperatura de unión máxima de +150 °C (grado extendido).
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