Descripción

MJD200 es un transistor NPN de mediana potencia de ON Semiconductor, en encapsulado DPAK / TO-252 SMD. Soporta tensión colector-emisor VCEO = 25 V, corriente de colector continua IC = 1,5 A, potencia de disipación máxima de 15 W, ganancia de corriente hFE típica de 100–300 a IC = 150 mA y rango de temperatura de unión de −65 °C a +150 °C.

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