Descripción
Descripción
El MJD122 es un transistor NPN Darlington de potencia en encapsulado SMD DPAK (TO‑252), con tensión colector‑emisor máxima VCEO de 100 V, tensión colector‑base máxima VCBO de 100 V, tensión emisor‑base máxima VEBO de 5 V, corriente de colector continua IC de hasta 8 A y corriente de pico de 16 A, disipación de potencia máxima PD de aproximadamente 20 W a 25 W sobre placa con disipación adecuada, ganancia de corriente hFE mínima de 1000 a IC = 3 A, tensión de saturación VCE(sat) de aproximadamente 2 V a 4 V a corriente nominal, tensión base‑emisor VBE(on) típica de 2,5 V a 3 V, diodo de libre circulación integrado y temperatura de unión máxima de +150 °C (grado extendido).
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