Descripción
Descripción
MJD210 es un transistor PNP de mediana potencia de ON Semiconductor, complementario del MJD200, en encapsulado DPAK / TO-252 SMD. Soporta tensión colector-emisor VCEO = −25 V, corriente de colector continua IC = −1,5 A, potencia de disipación máxima de 15 W, ganancia de corriente hFE típica de 100–300 a IC = −150 mA y rango de temperatura de unión de −65 °C a +150 °C.
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