Descripción
Descripción
IGBT RJH60F7, transistor de potencia IGBT N‑canal 600 V / 50–90 A con diodo rápido integrado, en encapsulado TO‑3P para montaje through‑hole, optimizado para conmutación de alta velocidad en fuentes conmutadas, máquinas de soldar e inversores, con baja tensión de saturación colector‑emisor VCE(sat)tıˊpica≈1,3–1,4VVCE(sat)tıˊpica≈1,3–1,4V y disipación máxima cercana a 330 W.
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