Descripción
Descripción
El IRFBF20 es un MOSFET de potencia de canal N de enriquecimiento en encapsulado THT TO‑220AB, con tensión drenador‑fuente máxima VDSS de 900 V, tensión compuerta‑fuente máxima VGSS de ±20 V, corriente de drenador continua ID de hasta 2 A a 25 °C, corriente de pico IDM de 8 A, disipación de potencia PD de aproximadamente 50 W sobre disipador adecuado, resistencia en conducción RDS(on) típica de 3,7 Ω a 4,5 Ω a VGS = 10 V, tensión umbral VGS(th) en el rango de 2 V a 4 V, carga total de compuerta Qg de aproximadamente 20 nC a 30 nC, diodo de cuerpo intrínseco con trr del orden de algunas centenas de ns y temperatura de unión máxima de +150 °C (grado extendido).
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