El IRFR220N es un MOSFET de potencia de canal N de enriquecimiento en encapsulado SMD DPAK (TO‑252), con tensión drenador‑fuente máxima VDSS de 200 V, tensión compuerta‑fuente máxima VGSS de ±20 V, corriente de drenador continua ID de hasta 5 A a 25 °C y aproximadamente 3,5 A a 100 °C, corriente de drenador de pico IDM de hasta 20 A, disipación de potencia máxima PD del orden de 30 W a 35 W sobre placa con disipación adecuada, resistencia drenador‑fuente en conducción RDS(on) típica de 0,40 Ω a 0,50 Ω a VGS = 10 V, tensión umbral de compuerta VGS(th) en el rango de 2 V a 4 V, carga total de compuerta Qg típica de aproximadamente 17 nC a 22 nC, capacitancia de salida Coss de alrededor de 100 pF, diodo de cuerpo intrínseco con tiempo de recuperación inversa trr del orden de 100 ns a 150 ns y temperatura de unión máxima de +175 °C (grado extendido).