El IRF630N es un MOSFET de potencia de canal N de enriquecimiento en encapsulado THT TO‑220AB, con tensión drenador‑fuente máxima de 200 V, tensión compuerta‑fuente máxima de ±20 V, corriente de drenador continua de hasta 9,3 A a 25 °C y 6,5 A a 100 °C, disipación de potencia máxima de aproximadamente 82 W sobre disipador adecuado, resistencia drenador‑fuente en conducción RDS(on) típica de 0,30 Ω a VGS = 10 V e ID = 5,4 A, tensión umbral de compuerta VGS(th) en el rango de 2 V a 4 V, energía de avalancha monopuerto EAS típica de 94 mJ, capacidad de salida Coss de alrededor de 89 pF, carga total de compuerta Qg aproximada de 35 nC, tiempos de conmutación en el orden de decenas de ns y temperatura de unión máxima de +175 °C (grado extendido).