Descripción
Descripción
El IRF9520PBF es un MOSFET de potencia de canal P de enriquecimiento en encapsulado THT TO‑220AB, con tensión drenador‑fuente máxima VDSS de ‑100 V, tensión compuerta‑fuente máxima VGSS de ±20 V, corriente de drenador continua ID de hasta ‑6,8 A a 25 °C, corriente de pico IDM de ‑27 A, disipación de potencia PD de aproximadamente 60 W a 79 W sobre disipador adecuado, resistencia en conducción RDS(on) típica de 0,50 Ω a 0,60 Ω a VGS = ‑10 V, tensión umbral VGS(th) en el rango de ‑2 V a ‑4 V, carga total de compuerta Qg de aproximadamente 18 nC a 25 nC, sufijo PBF indicativo de libre de plomo (RoHS) y temperatura de unión máxima de +175 °C (grado extendido).
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