Descripción
Descripción
El IRF530N es un MOSFET de potencia de canal N de enriquecimiento en encapsulado THT TO‑220AB, con tensión drenador‑fuente máxima VDSS de 100 V, tensión compuerta‑fuente máxima VGSS de ±20 V, corriente de drenador continua ID de hasta 17 A a 25 °C, corriente de pico IDM de 68 A, disipación de potencia PD de 79 W sobre disipador adecuado, resistencia en conducción RDS(on) típica de 0,090 Ω a 0,110 Ω a VGS = 10 V, tensión umbral VGS(th) de 2 V a 4 V, carga total de compuerta Qg de aproximadamente 42 nC, diodo de cuerpo con trr del orden de 97 ns y temperatura de unión máxima de +175 °C (grado extendido).
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