Descripción
Descripción
El IRFR13N20D es un MOSFET de potencia de canal N de enriquecimiento en encapsulado SMD DPAK (TO‑252), con tensión drenador‑fuente máxima VDSS de 200 V, tensión compuerta‑fuente máxima VGSS de ±20 V, corriente de drenador continua ID de hasta 13 A a 25 °C, corriente de pico IDM de 52 A, disipación de potencia PD del orden de 40 W a 50 W sobre placa con disipación adecuada, resistencia en conducción RDS(on) típica de 0,18 Ω a 0,22 Ω a VGS = 10 V, tensión umbral VGS(th) en el rango de 2 V a 4 V, carga total de compuerta Qg de aproximadamente 26 nC a 35 nC, diodo de cuerpo intrínseco con trr del orden de 75 ns y temperatura de unión máxima de +175 °C (grado extendido).
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