Descripción
Descripción
MOSFET IRF540N, transistor de potencia MOSFET N‑canal 100 V / 33 A, con baja resistencia drenador‑fuente en conducción RDS(on)tıˊpica≈44mΩRDS(on)tıˊpica≈44mΩ, tensión puerta‑fuente máxima ±20 V y potencia de disipación alrededor de 130–140 W, en encapsulado TO‑220AB de 3 pines para montaje through‑hole.
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