Descripción

Transistor MOSFET de potencia N‑canal IRFB3207Z, con tensión drenador‑source máxima de 75 V, corriente continua de drenador de hasta 170 A (limitada por el silicio, 120 A típica limitada por encapsulado) y resistencia RDS(on) máxima de 4,1 mΩ a VGS = 10 V, en encapsulado TO‑220AB de montaje through‑hole apto para disipador de calor y con potencia de disipación de hasta 300 W. Es un MOSFET tipo HEXFET optimizado para baja RDS(on), rápida conmutación y alta robustez en avalancha y dv/dt, adecuado para rectificación síncrona de alta eficiencia, etapas de potencia en fuentes conmutadas, UPS, conmutación de cargas de baja tensión y alta corriente y otros equipos electrónicos e industriales donde se requiera conmutar corrientes elevadas (del orden de centenares de amperes pico) hasta 75 V con mínimas pérdidas de conducción.

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