Descripción

El IRFBG30 es un MOSFET de canal N de alta tensión de Vishay Siliconix en encapsulado TO-220AB (THT), con tensión drenador-fuente máxima (VDS) de 1000 V, corriente de drenador continua (ID) de 3.1 A, RDS(on) máx. de 5 Ω (a VGS = 10 V), tensión de compuerta VGS ±20 V, carga total de compuerta (Qg) máx. de 80 nC, disipación de potencia máxima de 125 W, avalancha repetitiva garantizada y temperatura de unión de -55 °C a +150 °C. Incluye diodo body inverso integrado y cumple con RoHS.

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