El IRFP264N es un MOSFET de potencia de canal N de enriquecimiento en encapsulado THT TO‑247, con tensión drenador‑fuente máxima VDSS de 250 V, tensión compuerta‑fuente máxima VGSS de ±20 V, corriente de drenador continua ID de hasta 38 A a 25 °C y aproximadamente 27 A a 100 °C, corriente de drenador de pico IDM de hasta 152 A, disipación de potencia máxima PD del orden de 300 W sobre disipador adecuado, resistencia drenador‑fuente en conducción RDS(on) típica de 0,055 Ω a 0,075 Ω a VGS = 10 V, tensión umbral de compuerta VGS(th) en el rango de 2 V a 4 V, carga total de compuerta Qg típica de aproximadamente 150 nC a 170 nC, capacitancia de salida Coss de alrededor de 560 pF, energía de avalancha monopulso EAS especificada para operación robusta, diodo de cuerpo intrínseco con tiempo de recuperación inversa trr del orden de 200 ns a 250 ns y temperatura de unión máxima de +175 °C (grado extendido).