Descripción

MOSFET IRFP460N, transistor de potencia canal N 500 V / 20 A en encapsulado TO‑247AC de 3 pines para montaje through‑hole, con resistencia R_{DS(on)} típica ≈ 0,24 Ω, potencia de disipación hasta ~280 W con buen disipador, carga de puerta moderada y cuerpo de diodo rápido, adecuado para fuentes conmutadas de red, PFC, inversores, control de motores e inductive heating donde se requieren conmutaciones rápidas y manejo seguro de tensiones de hasta 500 V.

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