Descripción

El IRF460 / IRFP460N es un MOSFET de potencia de canal N de enriquecimiento en encapsulado THT TO‑247, con tensión drenador‑fuente máxima de 500 V, tensión compuerta‑fuente máxima de ±20 V, corriente de drenador continua típica de hasta 20 A a 25 °C con disipación adecuada, resistencia drenador‑fuente en conducción RDS(on) del orden de 0,20 Ω a 0,27 Ω a VGS = 10 V, tensión umbral de compuerta VGS(th) de aproximadamente 4 V, carga total de compuerta Qg cercana a las centenas de nC y capacidad de salida Coss de varios centenares de pF, con tiempos de conmutación en el rango de las decenas de nanosegundos, energía de avalancha especificada para operación robusta y temperatura de unión máxima de +150 °C (grado extendido).

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