El IRFP360 es un MOSFET de potencia de canal N de enriquecimiento en encapsulado THT TO‑247, con tensión drenador‑fuente máxima VDSS de 400 V, tensión compuerta‑fuente máxima VGSS de ±20 V, corriente de drenador continua ID de hasta 23 A a 25 °C y aproximadamente 15 A a 100 °C, corriente de drenador de pico IDM de hasta 92 A, disipación de potencia máxima PD del orden de 280 W sobre disipador adecuado, resistencia drenador‑fuente en conducción RDS(on) típica de 0,20 Ω a VGS = 10 V, tensión umbral de compuerta VGS(th) en el rango de 2 V a 4 V, carga total de compuerta Qg típica de aproximadamente 130 nC, capacitancia de salida Coss de alrededor de 400 pF, energía de avalancha monopulso EAS especificada para operación robusta, diodo de cuerpo intrínseco con tiempo de recuperación inversa trr del orden de 300 ns y temperatura de unión máxima de +150 °C (grado extendido).