Descripción

Transistor MOSFET de potencia IRFR210, N‑canal, con tensión drenador‑source máxima de 200 V, corriente continua de drenador de 2,6 A y resistencia RDS(on) típica de 1,5 Ω a VGS = 10 V, en encapsulado DPAK / TO‑252 SMD de 3 pines para montaje superficial. Adecuado para conmutación de cargas de media potencia, fuentes conmutadas ligeras y etapas de control en equipos electrónicos, ofreciendo conmutación rápida, diseño robusto y tamaño compacto SMD para aplicaciones donde se requiera un MOSFET N‑canal de 200 V / 2,6 A.

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