Descripción
Descripción
MOSFET IRF540N, transistor de potencia canal N 100 V / 33 A en encapsulado TO‑220AB de 3 pines para montaje through‑hole, con baja resistencia R_{DS(on)} típica ≈ 44 mΩ, potencia de disipación alrededor de 94–130 W con buen disipador, carga de puerta moderada y cuerpo de diodo rápido.
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