Descripción

El IRFI540N es un MOSFET de canal N de potencia HEXFET de Infineon / International Rectifier en encapsulado TO-220 Full-Pack (aislado, THT), con aislamiento galvánico de 2500 VRMS entre drenador y carcasa. Presenta VDS máx. de 100 V, corriente de drenador continua (ID) de 20 A (TC = 25 °C), RDS(on) máx. de 52 mΩ (a VGS = 10 V), tensión de compuerta VGS ±20 V, corriente de pulso IDM de 110 A, disipación de potencia máxima de 54 W, energía de avalancha (EAS) garantizada y temperatura de unión de -55 °C a +175 °C. Libre de plomo, cumple con RoHS.

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