Descripción

El IRF640N es un MOSFET de canal N de potencia HEXFET de Infineon / International Rectifier en encapsulado TO-220AB (THT), con tensión drenador-fuente máxima (VDS) de 200 V, corriente de drenador continua (ID) de 18 A (TC = 25 °C), RDS(on) máx. de 150 mΩ (a VGS = 10 V), tensión de compuerta VGS ±20 V, corriente de pulso (IDM) de 72 A, disipación de potencia máxima de 125 W, energía de avalancha garantizada y temperatura de unión de -55 °C a +175 °C. Incluye diodo body inverso integrado y cumple con RoHS.

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