Descripción
Descripción
Transistor MOSFET de potencia IRF9520S, de canal P, con tensión drenador–source máxima de −100 V, corriente continua de hasta −6,8 A y RDS(on) típica ~0,6 Ω a VGS = −10 V, en encapsulado D2PAK (TO‑263) para montaje superficial SMD, ideal para conmutación de cargas de potencia en fuentes conmutadas y equipos electrónicos industriales.
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