Descripción

IRLR2905 es un MOSFET de potencia canal N tipo HEXFET de International Rectifier/Vishay, en encapsulado DPAK / TO-252 SMD. Soporta tensión drenador-surtidor de 55 V, corriente de drenador continua de 42 A a 25 °C, corriente de pulso de hasta 160 A, con RDS(on) típica de 27 mΩ a VGS = 10 V, tensión VGS máx. ±20 V, disipación máxima de 110 W y rango de temperatura de unión de −55 °C a +175 °C.

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