Descripción

IRF2807S es un MOSFET de potencia canal N tipo HEXFET de 75 V y 82 A, en encapsulado SMD D2PAK / TO‑263 de 3 pines para montaje en PCB, con RDS(on) típica de 13 mΩ a VGS = 10 V y tensión VGS máx. ±20 V. El dispositivo soporta potencia máxima en torno a 200–230 W con adecuada refrigeración, tiempo de subida típico de 64 ns, capacitancia de salida de unos 610 pF y está especificado para temperatura de unión hasta 175 °C.