Descripción
Descripción
El STB140NF75 es un MOSFET de potencia de canal N de enriquecimiento en encapsulado SMD D²PAK (TO‑263), con tensión drenador‑fuente máxima VDSS de 75 V, tensión compuerta‑fuente máxima VGSS de ±20 V, corriente de drenador continua ID de hasta 140 A a 25 °C y aproximadamente 100 A a 100 °C, corriente de pico IDM de 560 A, disipación de potencia PD del orden de 300 W a 375 W sobre placa con disipación adecuada, resistencia en conducción RDS(on) típica de 4,5 mΩ a 6 mΩ a VGS = 10 V, tensión umbral VGS(th) en el rango de 2 V a 4 V, carga total de compuerta Qg de aproximadamente 130 nC a 170 nC, diodo de cuerpo intrínseco con trr del orden de 90 ns y temperatura de unión máxima de +175 °C (grado extendido).
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