Descripción
Descripción
El 11N80C3 es un MOSFET de potencia de canal N de enriquecimiento en encapsulado THT TO‑247, con tensión drenador‑fuente máxima VDSS de 800 V, tensión compuerta‑fuente máxima VGSS de ±20 V, corriente de drenador continua ID de hasta 11 A a 25 °C, disipación de potencia PD del orden de 150 W a 160 W sobre disipador adecuado, resistencia en conducción RDS(on) típica de 0,45 Ω a 0,55 Ω a VGS = 10 V, tensión umbral VGS(th) en el rango de 2 V a 4 V, carga total de compuerta Qg de aproximadamente 35 nC a 45 nC, diodo de cuerpo intrínseco con tiempo de recuperación inversa trr del orden de 300 ns a 500 ns y temperatura de unión máxima de +150 °C (grado extendido).
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