Descripción
Descripción
El NCE15H15T es un MOSFET de potencia de canal N de enriquecimiento en encapsulado THT TO‑247, con tensión drenador‑fuente máxima VDSS de 150 V, tensión compuerta‑fuente máxima VGSS de ±20 V, corriente de drenador continua ID de hasta 15 A a 25 °C, disipación de potencia PD del orden de 100 W a 125 W sobre disipador adecuado, resistencia en conducción RDS(on) típica de 55 mΩ a 75 mΩ a VGS = 10 V, tensión umbral VGS(th) en el rango de 1,5 V a 3 V, carga total de compuerta Qg de aproximadamente 30 nC a 45 nC, diodo de cuerpo intrínseco con trr del orden de algunas decenas de ns y temperatura de unión máxima de +150 °C (grado extendido).
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