Descripción

Transistor MOSFET de potencia P‑canal FQA36P15, con tensión drenador‑source máxima de −150 V, corriente continua de drenador de hasta −36 A y resistencia RDS(on) máxima de aproximadamente 90 mΩ (típica ~0,076 Ω) a VGS = −10 V, en encapsulado de potencia TO‑3P / TO‑3PN through‑hole apto para montaje en disipador y disipación de hasta unos 294 W. Es un MOSFET de modo de enriquecimiento optimizado para baja resistencia en conducción, bajo cargo de compuerta y alta capacidad de energía de avalancha, adecuado para fuentes conmutadas, etapas de salida de amplificadores de audio, control de motores DC y aplicaciones de conmutación de potencia variable en equipos electrónicos e industriales que requieran conmutar altas corrientes negativas hasta −36 A a −150 V con buena eficiencia y robustez

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