Descripción

Transistor MOSFET de potencia IPB083N10N3 G, N‑canal OptiMOS 3, con tensión drenador‑source máxima de 100 V, corriente continua de hasta 80 A y resistencia RDS(on) máxima de unos 8,2 mΩ a VGS = 10 V, en encapsulado de potencia D2PAK‑3 / TO‑263‑3 SMD apto para montaje superficial y buena disipación térmica. Adecuado para fuentes conmutadas, rectificación síncrona, control de motores y etapas DC de alta corriente en equipos electrónicos e industriales, ofreciendo muy baja pérdida por conducción, rápida conmutación y operación hasta 175 °C

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