Descripción
Descripción
MOSFET G15N60HS, transistor de potencia MOSFET N‑canal de 600 V / 15 A, con baja resistencia drenador‑fuente en conducción, conmutación rápida y capacidad para trabajar en fuentes conmutadas y etapas de potencia exigentes, en encapsulado D2PAK / TO‑263 de 3 pines para montaje superficial sobre PCB de potencia.
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