Descripción
Descripción
El SKA06N60 es un MOSFET de potencia de canal N de enriquecimiento en encapsulado THT TO‑262, con tensión drenador‑fuente máxima de 600 V, tensión compuerta‑fuente máxima de ±30 V, corriente de drenador continua de hasta 6 A a 25 °C, disipación de potencia máxima del orden de 45 W a 60 W sobre disipador adecuado, resistencia drenador‑fuente en conducción RDS(on) típica de aproximadamente 1,5 Ω a 1,8 Ω a VGS = 10 V, tensión umbral de compuerta VGS(th) en el rango de 2 V a 4 V, carga total de compuerta Qg del orden de 25 nC a 35 nC, diodo intrínseco de cuerpo con tiempo de recuperación inversa trr de decenas de ns y temperatura de unión máxima de +150 °C (grado extendido).
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