Descripción

El K1336 (2SK1336) es un MOSFET de potencia de canal N de enriquecimiento en encapsulado THT TO‑92, con tensión drenador‑fuente máxima VDSS de 900 V, tensión compuerta‑fuente máxima VGSS de ±30 V, corriente de drenador continua ID de hasta 0,1 A a 0,3 A a 25 °C, disipación de potencia PD del orden de 400 mW a 600 mW, resistencia en conducción RDS(on) típica elevada acorde a la baja corriente nominal, tensión umbral VGS(th) en el rango de 2 V a 4 V y temperatura de unión máxima de +150 °C (grado extendido).

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