Descripción
Descripción
El 2SK3878 es un MOSFET de potencia de canal N de enriquecimiento en encapsulado THT TO‑220F totalmente aislado, con tensión drenador‑fuente máxima VDSS de 500 V, tensión compuerta‑fuente máxima VGSS de ±30 V, corriente de drenador continua ID de hasta 6 A a 25 °C, disipación de potencia PD del orden de 40 W a 50 W sobre disipador adecuado, resistencia en conducción RDS(on) típica de 1,2 Ω a 1,5 Ω a VGS = 10 V, tensión umbral VGS(th) en el rango de 2 V a 4 V, carga total de compuerta Qg de aproximadamente 15 nC a 25 nC, diodo de cuerpo intrínseco con trr del orden de algunas centenas de ns y temperatura de unión máxima de +150 °C (grado extendido).
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