Descripción
Descripción
El SUP85N10-10P es un MOSFET de potencia de canal N de enriquecimiento en encapsulado SMD TO‑263 (D²PAK), con tensión drenador‑fuente máxima VDSS de 100 V, tensión compuerta‑fuente máxima VGSS de ±20 V, corriente de drenador continua ID de hasta 85 A a 25 °C, corriente de pico IDM de 340 A, disipación de potencia PD del orden de 250 W a 300 W sobre placa con disipación adecuada, resistencia en conducción RDS(on) típica de 10 mΩ a 12 mΩ a VGS = 10 V, tensión umbral VGS(th) en el rango de 2 V a 4 V, carga total de compuerta Qg de aproximadamente 100 nC a 130 nC, diodo de cuerpo intrínseco con trr del orden de 60 ns a 80 ns y temperatura de unión máxima de +175 °C (grado extendido).
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