Descripción

IGBT FGH60N60, transistor de potencia Field‑Stop N‑IGBT 600 V / 60 A en encapsulado TO‑247, con baja tensión de saturación típica VCE(sat)≈1,9–2,3Va60AVCE(sat)≈1,9–2,3Va60A, alta capacidad de corriente (hasta 120 A a 25 °C y picos ~180 A), alta temperatura de unión admisible (hasta 175 °C en la versión SMD) y conmutación rápida con bajas pérdidas, ideal para inversores solares, UPS, soldadoras, PFC, variadores/motores e inductive heating donde se requiera alta potencia, alta eficiencia y facilidad de manejo de compuerta tipo MOSFET.

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