Descripción

MOSFET OSG60R108HZF, transistor de potencia canal N super‑junction 600 V / 30 A de Oriental Semiconductor en encapsulado TO‑247 de 3 pines para montaje through‑hole, con muy baja resistencia R_{DS(on)} típica ≈ 108 mΩ, baja carga de puerta y diseño charge‑balance que reduce pérdidas de conducción y conmutación, ideal para fuentes conmutadas off‑line, PFC, inversores y convertidores industriales donde se requiera alta eficiencia, alta tensión de bloqueo y buena robustez térmica gracias al encapsulado TO‑247 apto para disipador.