Descripción

IGBT FGH40N60, transistor de potencia Field‑Stop N‑IGBT 600 V / 40 A (hasta ~80 A a 25 °C) en encapsulado TO‑247, con baja tensión de saturación típica VCE(sat)≈1,8–2,3Va40AVCE(sat)≈1,8–2,3Va40A, potencia de disipación alrededor de 290 W y alta capacidad de conmutación rápida con bajas pérdidas, ideal para inversores solares, UPS, soldadoras, hornos de microondas, PFC y variadores de motor donde se requiere alta eficiencia, robustez térmica (Tj hasta 150–175 °C según versión SMD) y manejo de compuerta de alta impedancia tipo MOSFET.

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