El G80N60UFD es un IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ultrarrápido en encapsulado THT TO‑247, con tensión colector‑emisor máxima VCES de 600 V, tensión compuerta‑emisor máxima VGES de ±20 V, corriente de colector continua IC de 80 A a 25 °C y aproximadamente 40 A a 100 °C, corriente de colector de pico ICM de hasta 160 A, disipación de potencia máxima PD del orden de 300 W a 330 W sobre disipador adecuado, tensión de saturación colector‑emisor VCE(sat) típica de 2,2 V a 2,8 V a IC = 40 A, tensión umbral de compuerta VGE(th) en el rango de 4 V a 6 V, tiempos de conmutación típicos con tfall del orden de 100 ns a 150 ns y tdon/tdoff de algunas decenas de ns, diodo antiparalelo ultrarrápido integrado con tiempo de recuperación trr inferior a 80 ns y rango de temperatura de operación de -55 °C a +150 °C (grado extendido).