Descripción
Descripción
El G30N60A4 es un IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) en encapsulado THT TO‑247, con tensión colector‑emisor máxima VCES de 600 V, tensión compuerta‑emisor máxima VGES de ±20 V, corriente de colector continua IC de 30 A a 25 °C y aproximadamente 15 A a 100 °C, corriente de colector de pico ICM de hasta 60 A, disipación de potencia máxima PD del orden de 150 W a 200 W sobre disipador adecuado, tensión de saturación colector‑emisor VCE(sat) típica de 1,7 V a 2,2 V a IC = 30 A, tensión umbral de compuerta VGE(th) en el rango de 4 V a 6 V, diodo antiparalelo ultrarrápido integrado con tiempo de recuperación trr inferior a 60 ns y temperatura de unión máxima de +150 °C (grado extendido).
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