Descripción

OST50N65HSZF es un IGBT de potencia canal N en modo de enriquecimiento para conmutación de media‑alta frecuencia, en encapsulado TO‑247 through‑hole. Soporta tensión colector‑emisor 650 V, corriente continua hasta 80 A a 25°C (50 A a 100°C) y corriente de pulso hasta 200 A, con VCE(sat) típica de 1,45 V a 50 A y VGE = 15 V. Utiliza tecnología Trident‑Gate Bipolar Transistor (TGBT) con carga de compuerta total típica de 110 nC, incorpora diodo antiparalelo rápido y está especificado para rango de temperatura de unión −55°C a +175°C, con disipación máxima de 375 W y resistencia térmica unión‑carcasa de 0,4 °C/W.

Detalles

Archivos