Descripción

MOSFET de canal N IPP60R360Q, 600 V / 7,6 A, con resistencia de encendido R_{DS(on)} típica de 360 mΩ, carga de compuerta Q_g de 16 nC y encapsulado TO-220 para montaje en disipador, fabricado por Infineon con tecnología CoolMOS™ Q series. Ofrece baja capacitancia de entrada, alta velocidad de conmutación, excelente relación R_{DS(on)} × A y robustez avalancha, ideal para fuentes conmutadas de alta eficiencia, topologías flyback/LLC, cargadores industriales y conversores de potencia que operan en el rango de 600 V.

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