MOSFET de canal N STD45NF75T4, 75 V / 40 A, transistor de efecto de campo de potencia con resistencia de encendido R_{DS(on)} máxima de 24 mΩ (típica 18 mΩ) a 10 V / 20 A, carga de compuerta Q_g de 43 nC, corriente de drenaje continua de 40 A a T_C = 25°C y de 30 A a T_C = 100°C, corriente pulsante de 160 A, potencia de disipación de 125 W, temperatura máxima de unión de 175°C, energía avalancha de 500 mJ y encapsulado DPAK (TO-252) para montaje superficial SMD, fabricado por STMicroelectronics con tecnología STripFET™ II. Ofrece baja capacitancia de entrada, excelente capacidad dv/dt, 100% probado en avalancha, baja carga de compuerta y resistencia térmica unión-carcasa de 1,2°C/W.