Descripción

IGBT discreto Toshiba GTK45735, 600 V / 200 A, transistor de compuerta aislada de potencia con tensión de saturación colector-emisor V_{CE(sat)} típica de 1,65 V a 200 A / 25°C, temperatura máxima de unión de 150°C, potencia de disipación de 348 W y encapsulado TO-3PL para montaje en disipador. Ofrece baja caída de tensión en conducción, diodo de rueda libre integrado, alta velocidad de conmutación y excelente robustez ante avalancha, con protección de sobrecorriente mediante limitación de corriente de puerta.

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